Hendra Dwi Gunawan, 4211417019 (2023) EFEK KONSENTRASI MASSA DOPING TERHADAP SIFAT FILM TIPIS ZnO:Ga2O3 YANG DIDEPOSISIKAN DENGAN SISTEM MICROWAVE ASSISTED SPRAY PYROLYSIS. Under Graduates thesis, UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG.

PDF - Published Version Restricted to Repository staff only Download (9MB) | Request a copy

Abstract

Telah berhasil dilakukan fabrikasi film tipis ZnO doping Ga2O3 yang ditumbuhkan di atas substrat kaca (Si) menggunakan metode Microwave Assisted Spray Pyrolisis. Fabrikasi dilakukan dengan memberikan variabel kontrol berupa suhu Microwave medium high, tekanan spray sebesar 2 atm, jarak noozle ke substrat sejauh 10 cm, banyaknya layer spray 3 lapisan, lama penyemprotan tiap-tiap lapisan 5 detik serta jarak penyemprotan antar lapisan 2 menit. Larutan sol gel ZnO: Ga2O3 yang digunakan memiliki konsentrasi 0,5 M dengan variasi konsenterasi doping Ga2O3 0%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5% dan 6%. Pengaruh konsentrasi doping Ga2O3 menunjukkan perubahan pada morfologi, struktur kristal, dan sifat optik dari film tipis. Hasil uji SEM-EDX menunjukkan perubahan struktur permukaan ketika persentase massa doping Ga2O3 ditingkatkan, yaitu menjadi semakin kompak dan tebal. Hasil analisis X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan bahwa film tipis memiliki struktur polikristalin pada orientasi (20-1), (-201), (40-1), (100), (002), (101), (110) dan (013). Tiap sampel berorientasi dominan pada bidang (002). Sampel 3% Ga2O3 memiliki struktur permukaan yang rata tidak terlalu tebal serta FWHM terkecil, yaitu 0,16˚ menunjukkan kualitas kristal yang baik. Transmitansi sampel 3% Ga2O3 sebesar 96% dan band gap sebesar 3,21 eV. Sampel 3% memiliki karakteristik yang cocok untuk di aplikasikan pada perangkat optoelektronik

Actions (login required)

View Item