Sulhadi, - (2015) Variasi Suhu Deposisi pada Struktur, Sifat Optik dan Listrik Film Tipis Seng Oksida dengan Doping Galium (ZnO:Ga) Deposition Temperature Variations on The Structure, Optical and Electrical Properties of Zinc Oxide Thin Films Doped Gallium (ZnO:Ga). Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia, 11 (1). pp. 93-99. ISSN 2355-3812

	PDF (Artikel) Download (1MB)
	PDF (Turnitin) Download (2MB)

Abstract

Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode DC-magnetron sputtering. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325o C, 375o C, dan 425o C. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325o mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375o dan 425o C. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325o C mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375o dan 425o C. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325o C mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai 1,74 x10ˉ3 (Ωcm) ˉ 1 pada suhu deposisi 325o C.

Actions (login required)

View Item