PENGARUH WAKTU PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK FILM TIPIS Cu2ZnSnS4 UNTUK LAPISAN ABSORBER YANG DISINTESIS DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING
Siti Firdhosiyah, 4211416007 (2021) PENGARUH WAKTU PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK FILM TIPIS Cu2ZnSnS4 UNTUK LAPISAN ABSORBER YANG DISINTESIS DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.
PDF (PENGARUH WAKTU PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK FILM TIPIS Cu2ZnSnS4 UNTUK LAPISAN ABSORBER YANG DISINTESIS DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING)
- Published Version
Restricted to Repository staff only Download (3MB) | Request a copy |
Abstract
Material film tipis Cu2ZnSnS4 (CZTS) telah banyak diaplikasikan sebagai alternatif lapisan absorber untuk sel surya. Bahan CZTS aman, ramah lingkungan dan murah selain itu juga merupakan semikonduktor tipe-p. Tujuan dari penelitian ini untuk mengetahui pengaruh waktu dan kelajuan penumbuhan serta karakteristik film tipis pada CZTS. Fabrikasi film tipis CZTS dilakukan dengan metode DC Magnetron Sputtering. Film tipis dideposisi dengan variasai waktu 3, 4, 5, 6 dan7 jam pada temperatur 400 ℃ dan daya 30 watt dengan susbtrat SLG. Karakterisasi yang digunakan meliputi XRD, SEM-EDX dan UV-Vis. Hasil uji XRD menunjukkan hasil sampel pada waktu 7 jam film tipis CZTS telah terbentuk, struktur kristal CZTS berupa kesterit yang berbentuk tetragonal sebagai lapisan absorber, adapun senyawa lainnya yaitu ZnS dan SnS2 yang merupakan fase sekunder. Hasil uji SEM-EDX menunjukkan morfologi dengan butiran-butiran kecil yang homogen dan merata. Hasil uji UV-Vis pada film tipis CZTS memiliki spektrum transmitansi yang dapat menyerap cahaya dengan panjang gelombang 300−750 nm. Celah pita yang dihasilkan semakin naik sebesar 1,54−2,12 eV dengan nilai optimum1,54 eV pada waktu 4 jam dan koefisien absorbsi juga semakin naik 7,1×104−1,56×105 . Film tipis CZTS dengan variasi waktu menghasilkan ketebalan rata-rata 7,96 µm, 9,126 µm, 8,232 µm, 8,528 µm dan 3,614 yang semakin naik. Berdasarkan penelitian yang telah dilakukan untuk mendapatkan ketebalan minimum maka kelajuan penumbuhan pada film tipis CZTS sebesar 1,550512 µ
Item Type: | Thesis (Under Graduates) |
---|---|
Uncontrolled Keywords: | Film Tipis, Cu2ZnSnS4 , DC Magnetron Sputtering |
Subjects: | Q Science > Q Science (General) T Technology > Information and Computer > Expert System T Technology > TG Bridge engineering |
Fakultas: | Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika, S1 |
Depositing User: | TUKP unnes |
Date Deposited: | 18 Jan 2022 06:27 |
Last Modified: | 18 Jan 2022 06:27 |
URI: | http://lib.unnes.ac.id/id/eprint/48481 |
Actions (login required)
View Item |