Sujarwata, 196101041989031001 (2015) Sensor Gas Berstruktur FET Untuk Deteksi Gas Buang Kendaraan Bermotor. In: Seminar Nasional MIPA 2015, 28 November 2015, Semarang.

Preview

PDF Download (597kB) | Preview

Abstract

Fabrikasi sensor gas berstruktur FET menggunakan metode vakum evaporasi (VE), sedangkan proses perencanaan dengan teknik lithography. Tahapan pembuatan sensor gas sebagai berikut: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/ SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan deposisi elektroda source dan drain di atas substrat, deposisi lapisan aktif diantara source/ drain dan diakhiri dengan deposisi gate. Hasil karakterisasi I-V menunjukkan arus yang mengalis dari drain menuju source (IDS) dipengaruhi oleh adanya perubahan tegangan gate (VG). Tegangan VG semakin besar maka IDS yang dihasilkan semakin meningkat. Karakterisasi sensor gas diperoleh bahwa daerah aktif untuk VD adalah 2,79 V - 3,43 V dan arus ID 1,49 10-4 A - 1,49 10-4 A. Sedangkan daerah saturasi FET pada tegangan VD dari 3,43 V - 9 V dan ini merupakan daerah cut off. Pengujian kelayakan sensor gas adalah menentukan: waktu tanggap (response time) dan waktu pemulihan (recovery time ). Waktu tanggap sensor terhadap gas buang kendaraan bermotor,dan CO berturut-turut: 135 s. Sedangkan waktu pemulihan adalah 150 s.

Actions (login required)

View Item