Santi Yuli Atuti , 4250407010 (2011) Struktur dan Sifat Listrik Film Tipis CdTe:Cu yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

Preview

PDF Download (2MB) | Preview

Abstract

Film tipis Cadmium Telluride doping Cu (CdTe:Cu) sebagai bahan pembuat sel surya telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat ITO (Indium Tin Oxide) dengan metode dc magnetron sputtering. Penumbuhan dilakukan dengan memvariasi konsentrasi doping, temperatur substrat dan daya plasma. Struktur mikro film dikarakterisasi menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopy), struktur kristal dikarakterisasi dengan XRD (X-Ray Diffraction) dan I-V meter digunakan untuk karakterisasi sifat listrik film. Film yang dihasilkan pada temperatur 250 ºC, daya plasma 14 W dengan konsentrasi doping Cu 15% mempunyai struktur mikro relatif tidak rata. Film yang relatif lebih rata dimiliki film dengan temperatur 325 ºC, daya plasma 43 W, dan konsentrasi doping Cu 2%. Film CdTe:Cu mempunyai struktur mikro yang relatif lebih rata dibandingkan dengan film tipis CdTe. Hasil karakterisasi EDX menunjukkan pendopingan Cu pada CdTe berhasil dilakukan, dengan persentase Cd, Te dan Cu masing-masing 43,52%, 56,37%, 0,11%. Karakterisasi XRD menunjukkan film tipis yang ditumbuhkan mempunyai struktur kristal heksagonal. Film tipis yang ditumbuhkan pada temperatur 250 oC, daya plasma 14 W dengan konsentrasi doping Cu 15% mempunyai intensitas tertinggi pada bidang (110) dan intensitas tertinggi pada bidang (101) untuk film yang ditumbuhkan pada temperatur 325 oC, daya plasma 43 W dengan konsentrasi doping Cu 2%. Hasil karakterisasi I-V menunjukkan bahwa pendopingan dengan Cu dapat menurunkan resisitivitas film. Resistivitas film yang ditumbuhkan pada temperatur 250 oC, daya plasma 14 W dengan konsentrasi doping Cu 15% berubah dari (3,40x109 Ωm) menjadi (4,62x108 Ωm). Penurunan resistivitas yang lebih signifikan dari (8,40x109 Ωm) menjadi (6,92x105 Ωm) diperoleh dari film yang ditumbuhkan pada temperatur 325 oC, daya plasma 43 W dengan konsentrasi doping Cu 2%. Berdasarkan hasil analisis struktur mikro, struktur kristal dan sifat listrik, film yang ditumbuhkan pada temperatur 325 oC dan daya plasma 43 W dengan konsentrasi doping Cu 2% mempunyai kualitas kristal yang lebih baik, selain itu diketahui bahwa doping Cu pada CdTe meningkatkan kualitas struktur dan sifat listrik film tipis CdTe.

Actions (login required)

View Item