Nur Amin , 4250403024 (2007) Analisis Sitat Listrik Persambungan M-S-M Pada Film Tipis Alxga1-Xn Yang Ditumbuhkan Di Atas Substrat Silikon (111) Dengan Metode Dc Magnetron Sputtering ”. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

Preview

PDF (Analisis Sitat Listrik Persambungan M-S-M Pada Film Tipis Alxga1-Xn Yang Ditumbuhkan Di Atas Substrat Silikon (111) Dengan Metode Dc Magnetron Sputtering ” ) - Published Version Download (1MB) | Preview

Abstract

Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan di atas subatrat Silikon (111) dengan lapisan penyangga AlN menggunakan metode DC Magnetron Sputtering. Preparasi substrat dilakukan dengan pencucian menggunakan aseton dan metanol. Kemudian substrat dicelup dalam larutan HF [H2O : HF (49%) = 10 : 1] pada temteratur ruang selama 20 detik untuk menghilangkan oksida pada permukaannya. Film tipis AlxGa1-xN yang tumbuh memiliki kandungan unsur Al, Ga, dan N berturut adalah 11,77 %; 51,22 % dan 35,25 %. Struktur polikristal dengan puncak dominan 32,75o dan arah bidang (1010). Memiliki ukuran bulir (grain size) yang hampir homogen yaitu 1,161 x 104 nm2 dengan mean diameter 1,216 x 102 nm serta nilai rata-rata kekasaran permukaan (RMS) 8,859 nm. Hasil karakeristik I-V menunjukkan bahwa persambungan kontak metal Al-film tipis AlxGa1-xN bersifat Ohmik dan persambungan kontak metal Au-film tipis AlxGa1-xN bersifat schottky. Kenaikan temperatur annealing pada kontak metal Al dapat menurunkan nilai resistansi pada persambungan Al-film tipis AlxGa1-xN. Nilai resistansi pada persambungan Al-film tipis AlxGa1-xN dengan perlakuan annealing 100oC, 200oC, 300oC dan 400oC berturut-turut sebesar 5650 Ω, 5000 Ω, 4450 Ω dan 4250 Ω. Grafik arus-tegangan (I-V) kontak logam Au-film tipis AlxGa1-xN yang tidak linier menunjukkan adanya potensial penghalang (barrier) pada pemberian tegangan sekitar 1 volt. Hasil karakteristik I-V pada kontak logam Au-film tipis AlxGa1-xN yang diannealing pada temperatur 150oC masih menunjukkan adanya sifat kontak schottky. Perlakuan annealing pada persambungan Au-film tipis AlxGa1-xN pada temperatur 200oC menyebabkan kontak mulai bersifat Ohmik disebabkan karena terjadinya difusi antar lapisan logam Au dengan film tipis AlxGa1-xN dan semakin rendah tinggi potensial barrier. Perlakuan anealing pada kontak logam Al dapat memperbaiki sifat Ohmik pada persambungan Al-film tipis AlxGa1-xN, karena nilai resistifitas persambungan akan menurun akibat temperatur annealing kontak Al. Kontak logam Au yang dibuat dengan metode sputtering mempunyai sifat schottky yang baik. Perlakuan annealing justru menyebabkan perubahan sifat schottky pada persambungan menjadi berkurang, sehingga sifatnya dapat berubah menjadi Ohmik.

Actions (login required)

View Item