Performansi Kelistrikan Heterojunction CdTe/CdS yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering.


Khoidatul Makhnunah , 4250407021 (2011) Performansi Kelistrikan Heterojunction CdTe/CdS yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

[thumbnail of Performansi Kelistrikan Heterojunction CdTe/CdS yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering.]
Preview
PDF (Performansi Kelistrikan Heterojunction CdTe/CdS yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering.) - Submitted Version
Download (2MB) | Preview

Abstract

Film tipis CdTe/CdS merupakan pilihan yang menjanjikan untuk sel surya dengan nilai yang ekonomis dan mempunyai nilai efisiensi yang tinggi. Film tipis CdTe/CdS ditumbuhkan di atas substrat Indium Tin Oxide (ITO) dengan menggunakan dc magnetron sputtering. Penumbuhan film tipis CdTe/CdS semula dilakukan dengan variasi waktu deposisi dan menggunakan daya plasma 22,5 watt. Film yang dihasilkan masih kurang optimal, substrat ITO masih dominan dalam film. Parameter penumbuhan diubah dengan menaikkan daya plasma sebesar 43 watt. Karakterisasi Scanning Electron Microscopy (SEM) menunjukkan bahwa film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma 43 watt mempunyai struktur morfologi yang tampak rata. Karakterisasi Energi Dispersif X-ray (EDX) dapat mengetahui unsur-unsur yang terkandung di dalam film tipis CdTe/CdS yaitu unsur Cd sebesar 39,33% dan unsur Te sebesar 60,67%. unsur S pada CdS tidak tampak karena sudah terlapisi oleh film tipis CdTe. Karakterisasi X-Ray Difraction (XRD) menunjukkan struktur kristal pada film CdTe/CdS. Puncak difraksi yang paling tinggi muncul pada sudut 2 theta =28.7⁰ yang berorientasi pada bidang (101) yang berstruktur heksagonal. Puncak tersebut merupakan puncak film tipis CdTe. Nilai full width at half maximum (FWHM) dari film tipis CdTe/CdS adalah 0.36⁰ yang menunjukkan sudak mempunyai struktur kristal yang baik karena dibuktikan dengan nilai FWHM yang kurang dari 0.5⁰. Performansi kelistrikan dalam artian sifat listrik yang diukur dengan I-V meter, sehingga mengetahui nilai faktor idealitas dan arus muatan ruang film CdTe/CdS yaitu 3,26 dan 3,98 x 10-10 Ampere yang sudah mencapai keidealan dari sambungan p-n. Film CdTe/CdS dengan kualitas kristal dan performansi kelistrikan yang baik sudah dapat digunakan untuk pembuatan thin film solar cells (sel surya film tipis).

Item Type: Thesis (Under Graduates)
Uncontrolled Keywords: Film tipis CdTe/CdS, dc magnetron sputtering, struktur morfologi, struktur kristal, dan sifst listrik.
Subjects: Q Science > Q Science (General)
Q Science > QC Physics
Fakultas: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika, S1
Depositing User: eko handoyo perpustakaan
Date Deposited: 29 Oct 2011 03:12
Last Modified: 25 Apr 2015 06:22
URI: http://lib.unnes.ac.id/id/eprint/6501

Actions (login required)

View Item View Item