Sugianto, FMIPA Fisika and R Zannah, - and SN Mahmudah, - and B Astuti, - and NMD Putra, - and AA Wibowo, - and P Marwoto, - and D Ariyanto, - and E Wibowo, - (2016) Pengaruh Temperatur Annealing Pada Sifat Listrik Film Tipis Zinc Oksida Doping Aluminium Oksida. Jurnal MIPA, 39 (2). pp. 115-122. ISSN 0215-9945

PDF - Published Version Download (1MB)

Abstract

Penumbuhan film tipis zinc oksida di-doping aluminium oksida dengan variasi temperatur annealing menggunakan metode dc magnetron sputtering telah berhasil dilakukan. Pengaruh variasi temperature annealing pada struktur dan sifat listrik film tipis telah dipelajari dengan menggunakan XRD dan I-V meter. Berdasarkan karakterisasi XRD, film tipis yang dihasilkan memiliki struktur wurtzite dengan orientasi yang dominan adalah (002). Penambahan temperatur annealing pada proses penumbuhan meningkatkan intensitas orientasi (002). Selanjutnya analisis sifat listrik menggunakan I-V meter. Film tipis zinc oksida di-doping Al pada temperatur annealing 300C memiliki nilai resitivitas yang optimum yaitu 2,89 x 102 cm. Hal tersebut konsisten dengan hasil XRD yang menyatakan bahwa film tipis zinc oksida yang di doping dengan aluminium oksida pada temperature 300C memiliki ukuran kristal yang semakin besar, kompak dan homogen.

Actions (login required)

View Item