Anggita Kharisma Dewi, 4211417020 (2021) EFEK KONSENTRASI DOPING TERHADAP SIFAT FILM TIPIS ZnO:GaN YANG DIFABRIKASI MENGGUNAKAN METODE SPRAYING DEPOSITION. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

PDF - Published Version Restricted to Repository staff only Download (1MB) | Request a copy

Abstract

Telah dilakukan penelitian tentang penumbuhan film tipis ZnO:GaN yang difabrikasi menggunakan metode spraying deposition di atas substrat kaca. Deposisi dilakukan dengan tekanan gas nitrogen sebesar 2 atm. Larutan ZnO:GaN yang digunakan memiliki konsentrasi 0,5 M dengan variasi konsentrasi GaN 0%, 0,5%, 1%, 1,5%, 2%, 2,5% dan 3%. Pengaruh konsentrasi doping GaN menunjukkan perubahan pada struktur kristal, sifat optik, dan sifat listrik dari film tipis. Hasil uji SEM-EDX menunjukkan perubahan struktur permukaan ketika konsentrasi doping GaN ditingkatkan. Berdasarkan hasil analisis X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan bahwa film tipis memiliki struktur polikristalin pada orientasi bidang (100), (002), (101) dan (103). Tiap sampel berorientasi dominan pada bidang (002). Sampel 2,5% GaN memiliki FWHM terkecil, yaitu 0,24˚ yang menunjukkan memiliki kualitas kristal yang baik. Transmitansi yang dimiliki sampel 2,5% GaN sebesar 89% dan lebar bandgap 3,14 eV. Untuk sifat listrik sampel 2,5% GaN memiliki konduktivitas yang cukup tinggi dibandingkan sampel yang lain, yaitu 1,39 x 10-10(Ωcm) -1 .

Actions (login required)

View Item