Agung Tri Prasetya, - (2013) PENGARUH ENKAPSULASI Cu DAN Fe TERHADAP BAND GAP SILIKON NANOTUBE(10,0) MENGGUNAKAN DFT. Indonesian Journal of Chemical Science, 2 (1`). pp. 35-39. ISSN 2252-6951

Preview	PDF Download (1MB) | Preview
Preview	PDF (Peer Review) Download (694kB) | Preview

Abstract

Silikon Nanotube (10,0) (SiNT) yang bersifat semikonduktor mendekati metalik dengan band gap 0,1 eV diharapkan menjadi alternatif bagi perkembangan industri semikonduktor jika band gap bisa dinaikkan kedalam range semikonduktor, yaitu sekitar 1 sampai 4 eV. Dalam Penelitian ini, optimasi geometri dilakukan dengan menggunakan software Gaussian® 03W dan hasilnya dianalisis dengan menggunakan software GaussSum. Pemodelan SiNT(10,0) terdiri dari 2 repetisi cincin Si dengan total atom Si sebanyak 80 atom. Energi total dan band gap diukur menggunakan metode DFT B3LYP dengan basis set 3-21G. Energi total dari optimasi geometri SiNT(10,0) , SiNT(10,0) -Cu, dan SiNT(10,0) -Fe berturut- turut adalah -23050,1933899 Hartree, -24682,6747646 Hartree dan -24307,6639011 Hartree. Dari hasil optimasi geometri, pengenkapsulasian logam mempengaruhi kestabilan struktur dengan ditandainya energi makin rendah. Band gap SiNT(10,0) , SiNT(10,0) -Cu, dan SiNT(10,0) -Fe berturut-turut adalah 0,25; 1,22 dan 0,25 eV. Fe memiliki sifat feromagnetik dimana sifat kemagnetannya lebih kuat dari Cu yang memiliki sifat diamagnetik. Akibatnya fermi level pada SiNT(10,0) -Fe menurun dari struktur SiNT(10,0) , Cu mempunyai jari-jari kovalen lebih besar dari Fe, sehingga interaksi elektron antara Cu dengan atom-atom Si lebih kuat mengakibatkan diameter SiNT lebih kecil, sehingga band gap makin besar. Dari penelitian ini dapat disimpulkan bahwa SiNT(10,0) -Cu dapat lebih menstabilkan struktur dan menaikkan band gap dari SiNT(10,0) daripada SiNT(10,0) - Fe.

Actions (login required)

View Item