PENGARUH DURASI ANNEALING TERHADAP STRUKTUR, SIFAT OPTIK, DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZnO:Al DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING


Nur Arina Firmahaya, 4211414002 (2018) PENGARUH DURASI ANNEALING TERHADAP STRUKTUR, SIFAT OPTIK, DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZnO:Al DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

[thumbnail of 4211414002.pdf]
Preview
PDF
Download (1MB) | Preview

Abstract

Film tipis ZnO:Al dideposisikan di atas substrat preparation glass dengan metode DC Magnetron Sputtering. Film tipis tersebut dideposisikan dengan tekanan argon 500 mTorr, daya plasma 40 watt pada temperatur 400°C, dan dalam durasi penumbuhan 120 menit. Film tipis yang dihasilkan kemudian di annealing dengan variasi durasi annealing 0 dan 50 menit pada temperatur annealing 300°C. Hasil karakterisasi X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan masing-masing sampel mempunyai struktur amorf. Hasil karakterisasi sifat optik film tipis ZnO:Al menggunakan photoluminesence menghasilkan dua puncak emisi pada setiap sampel dengan intensitas yang berbeda. Puncak emisi pertama terjadi pada panjang gelombang 447 nm atau 2,81 eV yang mengindikasikan adanya cacat kristal interstitial zinc, dan puncak emisi kedua pada panjang gelombang 752 nm atau 1,6 eV yang mengindikasikan cacat kristal vacancy oxygen. Tinggi intensitas emisi sampel mengalami perubahan seiring dengan peningkatan durasi annealing. Tinggi intensitas emisi berpengaruh terhadap cacat kristal yang terjadi pada sampel. Cacat kristal vacancy oxygen adalah sumber pembawa muatan yang sangat penting dan memainkan peran dalam mekanisme konduksi ZnO. Konsentrasi pembawa dapat dipahami dari substitusi Al dan interstitial Zn yang keduanya bertindak sebagai donor yang berkaitan dengan besarnya konduktivitas bahan. Dengan begitu, film tipis ZnO:Al dengan durasi annealing 50 menit merupakan sampel yang mempunyai sifat optik paling baik karena mempunyai intensitas yang tinggi. Hasil karakterisasi sifat listrik film tipis ZnO:Al dengan I-V meter menunjukkan nilai resistivitas film tipis ZnO:Al paling kecil dihasilkan oleh film tipis dengan durasi annealing 50 menit yaitu sebesar 1,23 x 1010 .

Item Type: Thesis (Under Graduates)
Uncontrolled Keywords: ZnO:Al, Annealing, DC Magnetron Sputtering, XRD, Photoluminesence, I-V meter.
Subjects: Q Science > Q Science (General)
Q Science > QC Physics
Fakultas: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Pendidikan Fisika, S1
Depositing User: dina nurcahyani perpus
Date Deposited: 28 Jul 2020 17:42
Last Modified: 28 Jul 2020 17:44
URI: http://lib.unnes.ac.id/id/eprint/37536

Actions (login required)

View Item View Item