PENGARUH DAYA PLASMA TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DOPING GALIUM YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING


Sri Mulyani , 4211415023 (2019) PENGARUH DAYA PLASMA TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DOPING GALIUM YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

[thumbnail of PENGARUH DAYA PLASMA TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DOPING GALIUM YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING]
Preview
PDF (PENGARUH DAYA PLASMA TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DOPING GALIUM YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING) - Published Version
Download (772kB) | Preview

Abstract

Film tipis ZnO doping Galium ( ZnO:Ga ) telah ditumbuhkan di atas substrat corning glass menggunakan DC Magnetron Sputtering selama 120 menit dengan tekanan gas Argon 500 mTorr dan suhu deposisi 300 ̊C. Selanjutnya daya plasma dilakukan variasi 30 watt, 35 watt, dan 37 watt. Pengaruh daya plasma terhadap struktur kristal film tipis ZnO:Ga diteliti dengan karakterisasi XRD (XRay Diffraction), morfologi permukaan film diteliti dengan karakterisasi FESEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy), dan sifat optik film diteliti dengan karakterisasi UV-Vis (Ultraviolet – Visible). Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga merupakan polikristalin. Sampel film tipis daya plasma 30 watt teramati puncak bidang orientasi (100), (002), (101), dan (103). Sampel film tipis daya plasma 35 watt teramati puncak bidang orientasi (100), (101), dan (103). Sementara, sampel film tipis daya plasma 37 watt bersifat amorf. Citra FESEM menunjukkan bahwa penggunaan daya plasma 30 watt dan 37 watt menghasilkan permukaan film tipis ZnO:Ga yang lebih rata dibdaningkan dengan film tipis dengan daya plasma 35 watt. Film tipis ZnO:Ga dengan daya plasma 30 watt dan 37 watt mencapai transmitansi 80-86% dan energi gap 3,89 eV – 3,92 eV. Penuruan transmitansi terjadi pada film tipis daya plasma 35 watt yaitu 68% dengan energi gap 3,86 eV. Hal ini karena ketebalan film tipis ZnO:Ga daya plasma 35 watt meningkat

Item Type: Thesis (Under Graduates)
Uncontrolled Keywords: ZnO:Ga, Sputtering, Daya plasma, Struktur, Sifat optik
Subjects: Q Science > QC Physics
Fakultas: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika, S1
Depositing User: Retma IF UPT Perpus
Date Deposited: 15 May 2020 13:55
Last Modified: 15 May 2020 13:55
URI: http://lib.unnes.ac.id/id/eprint/36317

Actions (login required)

View Item View Item