Rofiatul Zannah , 4211412002 (2016) PENGARUH TEMPERATUR ANNEALING TERHADAP STRUKTUR, SIFAT LISTRIK DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZINC OXIDE DOPING ALUMINIUM (ZnO:Al) DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

Preview

PDF - Published Version Download (1MB) | Preview

Abstract

Penumbuhan film tipis ZnO doping Al dengan variasi temperatur annealing di atas substrat corning glass telah berhasil dilakukan dengan metode DC Magnetron Sputtering. Parameter penumbuhan film diantaranya: tekanan gas argon 500 mTorr, temperatur substrat 400oC, daya plasma 35,65 watt dan waktu penumbuhan 120 menit. Sampel yang dihasilkan adalah film tipis ZnO doping Al dengan variasi temperatur annealing (0, 200, 300 dan 400oC). Hasil analisis X-ray diffraction (XRD) menunjukkan film tipis ZnO doping Al memiliki struktur wurtzite (heksagonal). Analisis sifat optik menggunakan spectrometer UV-vis menunjukkan transmitansi film tipis ZnO doping Al pada temperatur annealing 300oC cukup besar yaitu 84,80%. Band gap yang dihasilkan sebesar 3,05 eV, 3,25 eV, 3,38 eV dan 3,45 eV untuk masing-masing film. Analisis sifat listrik menggunakan I-V meter menunjukkan film tipis ZnO doping Al pada temperatur annealing 300oC memiliki nilai resistivitas yang optimum yaitu 2,89 x 102 Ω.cm. Hal ini konsisten dengan hasil analisis XRD dan UV-vis yang menyatakan bahwa film tipis ZnO doping Al pada temperatur annealing 300oC memiliki ukuran kristal yang besar, kompak dan homogen serta memiliki nilai transmitansi yang optimum.

Actions (login required)

View Item