MUGI RAHARJO, 4250403021 (2009) STRUKTUR KRISTAL, SIFAT LISTRIK (RESISTIVITAS), DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DENGAN DOPING Al YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

Preview

PDF (STRUKTUR KRISTAL, SIFAT LISTRIK (RESISTIVITAS), DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DENGAN DOPING Al YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING.) - Published Version Download (863kB) | Preview

Abstract

Telah ditumbuhkan lapisan tipis ZnO:Al di atas substrat corning glass dengan metode DC magnetron sputtering. Permasalahan yang dikaji dalam penelitian ini adalah bagaimana struktur kristal lapisan tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan diatas substrat corning glass dengan metode dc magnetron sputtering serta karekteristik sifat listrik dan sifat optik, yang meliputi beberapa metode antara lain, Pembuatan target ZnO:Al, Penumbuhan film tipis ZnO:Al, dan karakteristik film tipis (XRD, resistivitas, dan sifat optik). Hasil karekterisasi dan analisis difraksi sinar-X menunjukkan lapisan tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan dengan temperatur 450 oC memiliki strain yang lebih besar dibandingkan dengan lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan temperatur 550 oC. Puncak difraksi lapisan tipis ZnO:Al dominan pada puncak difraksi (002) pada sudut 2� sekitar 34,2o. Dari analisis sifat listrik (resistivitas) menggunakan pengukuran I-V dengan metode empat probe menunjukan lapisan tipis ZnO doping Al memiliki resistivitas sebesar (0,62 – 0,65) × 10-3 �cm. Resistivitas listrik lapisan tipis ZnO menurun dengan adanya penambahan Al dalam proses penumbuhan. Resistivitas lapisan tipis ZnO:Al berbanding terbalik dengan konduktivitas listrik lapisan tipis ZnO:Al. Dan dari hasil analisis sifat optik (transmitansi) lapisan tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan pada suhu 550 oC mempunyai transmitansi yang lebih baik, dengan energi gap sebesar 3,2 eV.

Actions (login required)

View Item