Eka Nurdiana, 4211409030 (2013) SINTESIS BAHAN RESIST DARI EPOXY UNTUK APLIKASI FOTOLITOGRAFI. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

Preview

PDF (SINTESIS BAHAN RESIST DARI EPOXY UNTUK APLIKASI FOTOLITOGRAFI) - Published Version Download (2MB) | Preview

Abstract

Penggunaan polimer telah berkembang pesat dalam banyak bidang elektronik beberapa tahun ini. Salah satu aplikasi utama dari polimer dalam elektronik yaitu sebagai resist litografi. Photoresist yang banyak digunakan salah satunya photoresist epoxy. Penelitian ini mengarah pada pengembangan photoresist berbasis epoxy, yang bertujuan untuk mengetahui cara pembuatan photoresist dengan bahan resin epoxy serta mengkaji struktur permukaan, absorbansi, kerapatan dan viskositas photoresist yang dihasilkan. Pembuatan photoresist pada penelitian ini menggunakan bahan resin epoxy, sodium acetate trihydrate dan toluena. Metode pembuatan photoresist dilakukan dalam dua tahap yaitu tahap pembuatan sampel cairan photoresist dan sampel film tipis photoresist. Sampel cairan photoresist untuk pengukuran kerapatan dengan metode massa per volume dan viskositas menggunakan LV series viscometer spindle number. Sampel film tipis photoresist untuk karakterisasi struktur mikro menggunakan CCD Microscope MS-804 dan absorbansi menggunakan spektrometer ocean optic Vis-NIR USB4000. Pengukuran kerapatan dan viskositas masing-masing menggunakan enam sampel dan tiga sampel cairan photoresist. Karakterisasi struktur mikro dan absorbansi masing-masing menggunakan enam sampel dan lima sampel film tipis photoresist. Photoresist epoxy yang dihasilkan memiliki absorbansi 0,1-1,5 pada panjang gelombang g-line, h-line dan i-line. Struktur mikro permukaan film tipis photoresist dengan pemanasan 70ºC menghasilkan permukaan lebih homogen daripada pemanasan 95ºC. Kerapatan photoresist meningkat dengan semakin banyaknya komposisi toluena dan viskositas cairan photoresist berkurang dengan meningkatnya komposisi toluena.

Actions (login required)

View Item