M. Sulhan, 4250405002 (2009) Pengaruh Daya Plasma Terhadap Struktur Mikro, Sifat Optik, dan Sifat Listrik Film Tipis Cadmium Sulfida (CdS) yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magetron Sputtering. Under Graduates thesis, Universitas Negeri Semarang.

PDF (Pengaruh Daya Plasma Terhadap Struktur Mikro, Sifat Optik, dan Sifat Listrik Film Tipis Cadmium Sulfida (CdS) yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magetron Sputtering.) - Published Version Download (12MB)

Abstract

II-VI yang ditemukan karena kebutuhan akan material semikonduktor. CdS memiliki energy gap 2,4 eV pada suhu ruang, dan mempunyai struktur kristal heksagonal dengan tipe kristal wurtzite, transparansi optik pada daerah tampak, sehingga banyak diaplikasikan dalam pembuatan berbagai peralatan diantaranya transparent conducting oxide (TCO), tranduser surface acoustic wave (SAW), pandu gelombang optik, LED, dan yang baru diteliti dan dikembangkan saat ini adalah sebagai devais sel surya. Permasalahan yang dikaji dalam penelitian ini adalah struktur mikro, sifat optik, dan sifat listrik lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan diatas substrat corning glass dengan metode dc magnetron sputtering dengan variasi daya plasma. Hasil karekterisasi dan analisis SEM (Scanning Electron Microscopy) menunjukkan lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan dengan daya plasma 17.15 W memiliki ukuran bulir yang lebih kecil dibandingkan dengan lapisan tipis yang ditumbuhkan pada daya plasma 22 W. Hasil analisis XRD menunjukan bahwa lapisan CdS yang ditumbuhkan pada daya plsama 17,15 W belum muncul puncak, sedangkan pada parameter 22 W muncul puncak di 2θ 15,15 o dengan orientasi kristal (102). Analisis sifat optik (transmitansi) lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan pada daya plasma 17.15 memiliki lebar pita 3.40 eV, sedangkan untuk lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan pada daya plasma 22 W mempunyai lebar pita 2.20 eV. analisis sifat listrik (sheet resisance) menggunakan metode dua probe menunjukan lapisan tipis CdS 17.15 W memiliki sheet resistance sebesar 4.13E+08 Ω/m2, sheet resistance lapisan tipis ZnO:Al menurun dengan adanya penambahan daya plasma. Pada daya plasma 22 W, sheet resistance menjadi 2.94E+08 Ω/m2.

Actions (login required)

View Item